我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT49H32M9SJ-25:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为系统数据处理的瓶颈而烦恼吗？让MT49H32M9SJ-25:B TR来为您加速！这颗来自美光科技的288Mb并行DRAM芯片，能以高达400MHz的时钟频率疾速运行，配合仅20ns的访问时间，瞬间响应处理器的每一次数据调用，彻底释放您系统的性能潜力。

它采用高效的32M x 9位宽并行接口，专为需要高带宽数据交换的场合设计。无论是缓冲高速网络数据流，还是支撑实时图像处理，它都能轻松胜任。1.7V至1.9V的低工作电压有助于降低系统整体功耗，而0°C至95°C的宽温范围则确保了其在各种严苛环境下的稳定表现。选择它，就是为您的嵌入式应用选择了一个高效、可靠的数据交换伙伴。

• 型号:MT49H32M9SJ-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:32M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H32M9SJ-25:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。