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还在为寻找能承载海量数据、并实现闪电般读写的核心存储方案而烦恼吗？MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的1.5Tb大容量NAND闪存芯片，旨在成为您高性能设备的数据心脏，让您轻松存储和处理巨量信息，无论是复杂的数据库、高清媒体流还是AI训练数据，都能应对自如。

它采用高效的并联接口，如同构建了多条数据高速通道，能显著提升整体系统的数据吞吐效率，减少等待时间，让您的应用运行更加流畅迅捷。其宽广的工作电压范围（2.5V~3.6V）和0°C~70°C的稳定工作温度，确保了在各种环境下的可靠性与耐久性，为您产品的长期稳定运行保驾护航。

• 制造商产品型号：MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.5Tb（192G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。