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您是否正在寻找一颗能够彻底释放系统数据潜能的“心脏”？MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的1.5Tb大容量并行NAND闪存芯片，能为您构建起海量、高速的非易失性存储核心，让您轻松应对人工智能、大数据分析及高端服务器对存储性能的严苛要求。

它采用可靠的并行接口与132-VBGA封装，在0°C至70°C的宽温范围内稳定运行，确保您的设备在各种环境下都能实现高效、持久的数据读写。选择它，就是为您的产品注入澎湃的数据动力与坚实的可靠性基石。

• 制造商产品型号：MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.5T PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.5Tb（192G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。