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您正在寻找一颗能扛得住恶劣环境、守得住重要数据的存储核心吗？MT29F4G08BABWP-ET正是为您而来。这颗由美光科技打造的4Gb并行NAND闪存，能以512M x 8的位宽高效处理数据，其工业级宽温（-40°C ~ 85°C）与宽压（2.7V ~ 3.6V）特性，让您的设备无论面对严寒酷暑还是电压波动，都能确保数据存储的万无一失。

它能让您的工业控制器、网络设备或嵌入式系统，拥有一个稳定、非易失的“记忆中枢”。您无需再担心意外断电导致数据丢失，其成熟的48-TSOP封装更让您的生产贴装变得轻松高效。选择它，就是为您的产品选择了一份历经市场验证的可靠与安心。

• 型号:MT29F4G08BABWP-ET
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F4G08BABWP-ET，Micron（美光）产品一站式供应商。