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MT29E768G08EEHBBJ4-3:B 零件图片(仅供参考)

MT29E768G08EEHBBJ4-3:B
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MT29E768G08EEHBBJ4-3:B 规格参数

您是否正在寻找一颗能够轻松驾驭海量数据、为高端应用提供坚实存储基础的核心芯片?MT29E768G08EEHBBJ4-3:B正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技打造的768Gb NAND闪存,以其并联接口和333MHz的高时钟频率,为您带来惊人的数据传输带宽,让您的服务器、存储系统或工业设备能够高效、流畅地处理巨量信息流,彻底告别数据瓶颈。

它不仅仅提供大容量,更致力于提升您的系统整体表现。宽电压范围(2.5V~3.6V)设计增强了系统设计的灵活性,而0°C至70°C的工业级工作温度范围则确保了在各种环境下的稳定运行。选择它,就是为您的关键设备选择了一份经过验证的可靠性与高性能,让您能够专注于核心业务创新,而将数据存储的挑战放心交由它来处理。

  • 型号:MT29E768G08EEHBBJ4-3:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:132-VBGA(12x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 768GBIT PAR 132VBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:768Gb
  • 存储器组织:96G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:132-VBGA
  • 供应商器件封装:132-VBGA(12x18)
  • MT29E768G08EEHBBJ4-3:B,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29E768G08EEHBBJ4-3:B 基本参数:

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