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您正在寻找一颗能扛起数据存储重任的核心芯片吗？MT29F4G16ABBEAH4:E TR 正是为此而生。这颗由美光科技打造的4Gb（256M x 16）并行NAND闪存，能为您的大容量数据存储需求提供坚实底座。其非易失特性确保断电后数据不丢失，而并联接口则带来高效的数据吞吐能力，让您的系统读写数据更加流畅迅捷。

它能在1.7V至1.95V的电压下稳定工作，并适应0°C至70°C的环境温度，帮助您的产品轻松应对多样的供电条件和应用场景。采用63-VFBGA表面贴装封装，极大地节省了PCB空间，让您的设计更紧凑、更高效。无论是用于存储程序代码、用户数据还是多媒体内容，它都能可靠地完成任务，是提升产品整体性能和可靠性的关键组件。

• 型号:MT29F4G16ABBEAH4:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G16ABBEAH4:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。