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还在为您的经典设备或系统寻找稳定可靠的大容量存储核心吗？MT29F64G08CBCABH1-10Z:A TR这颗64Gb（8Gx8）并行NAND闪存芯片，正是为您这样的需求而生。它能够以高达100MHz的时钟频率高效处理数据，让您的设备轻松应对海量信息的读写任务，无论是程序代码、用户数据还是系统日志，都能获得流畅稳定的存储体验。

其2.7V-3.6V的宽电压供电范围和0°C至70°C的工作温度，确保了在多样的实际应用环境中都能保持出色可靠性。这颗芯片就像您系统中最忠实的记忆库，以非易失的特性牢牢守护每一比特重要数据。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的存储保障，让您能更专注于系统整体的功能与创新。

• 型号:MT29F64G08CBCABH1-10Z:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F64G08CBCABH1-10Z:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。