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还在寻找能让您的移动设备“快人一步”的内存解决方案吗？MT53D1024M32D4DT-046 AAT:E就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的32Gb LPDDR4移动DRAM，以高达2133MHz的时钟频率，为您带来疾速的数据吞吐体验，轻松应对高强度运算与多任务处理，瞬间提升设备响应速度。

它不仅仅追求速度，更注重能效平衡。1.1V的低电压供电，让高性能不再以牺牲续航为代价，显著优化整体功耗。同时，其宽广的工作温度范围（-40°C ~ 105°C）和可靠的200-VFBGA封装，确保您的产品即使在严苛环境下也能稳定运行，集成更轻松。选择它，就是为您的设计注入高效、可靠的存储动力。

• 型号:MT53D1024M32D4DT-046 AAT:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-VFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:1G x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-VFBGA
• 供应商器件封装:200-VFBGA（10x14.5）
• MT53D1024M32D4DT-046 AAT:E，Micron（美光）产品一站式供应商。