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您正在寻找一颗能瞬间提升设备响应速度与多任务能力的内存核心吗？MT53D1G64D8SQ-053 WT:E正是您期待的答案。这颗美光LPDDR4移动DRAM芯片，拥有高达64Gb（1G x 64）的存储容量和1866MHz的疾速时钟频率，能轻松应对海量数据的高速读写需求，让您的应用程序加载更快，运行更稳。

它采用高效的1.1V低电压供电和紧凑的556-VFBGA表面贴装封装，不仅大幅降低了系统功耗，延长设备续航，还为您的产品设计节省了宝贵的空间。其宽广的工作温度范围（-30°C ~ 85°C）确保了在各类环境下都能保持稳定高效的性能输出。选择它，就是为您的移动设备选择了一个强大、可靠且高效的数据处理伙伴。

• 型号:MT53D1G64D8SQ-053 WT:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:556-VFBGA（12.4x12.4）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 64GBIT 1.866GHZ 556VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:1G x 64
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:556-VFBGA
• 供应商器件封装:556-VFBGA（12.4x12.4）
• MT53D1G64D8SQ-053 WT:E，Micron（美光）产品一站式供应商。