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MT28F008B3VG-9 TET 零件图片(仅供参考)

MT28F008B3VG-9 TET
Micron 订单到达,马上发货

MT28F008B3VG-9 TET 规格参数

还在寻找一颗能扛得住极端环境考验的可靠“记忆核心”吗?MT28F008B3VG-9 TET就是您的答案。这颗美光出品的8Mb并行NOR闪存,专为嵌入式系统关键代码存储而优化,90ns的快速访问时间让您的处理器能够高效执行片上程序,大幅提升系统响应速度。

它采用3V供电,兼容广泛的低功耗设计,其宽温特性(-40°C至85°C)让您的设备无论置于严寒户外还是高温机箱内,都能稳定运行。表面贴装的40-TSOP封装节省空间,便于集成。选择它,就是为您的产品选择了一份历经市场验证的稳定与高效,让您专注于核心功能开发,无需为存储可靠性分心。

  • 制造商产品型号:MT28F008B3VG-9 TET
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
  • 产品系列:存储器
  • 包装:散装
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:8Mb(1M x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:90ns
  • 访问时间:90ns
  • 电压-供电:3V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:40-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
  • MT28F008B3VG-9 TET,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT28F008B3VG-9 TET 基本参数:

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