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还在寻找一颗能扛重任、反应迅捷的核心存储芯片吗？RC28F256P30BFE就是您期待的答案。这颗256Mb（16M x 16）的并行NOR闪存，基于美光成熟的StrataFlash技术，能以高达52MHz的速度与您的处理器高效对话，100ns的快速访问与写入时间，让系统启动和程序执行更加流畅迅捷，极大提升整体响应效率。

它专为 demanding 应用而设计，1.7V~2V的低压运行让您轻松实现节能目标，而其宽广的-40°C至85°C工业级温度适应能力，则确保您的设备无论处于何种严苛环境，都能稳定可靠地工作。采用64-TBGA封装，节省空间且适合表面贴装，是工业控制、通信设备、汽车电子等领域代码存储与数据记录的理想、高效之选。

• 型号:RC28F256P30BFE
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-EasyBGA（10x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PAR 64EASYBGA
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:52 MHz
• 写周期时间 - 字，页:100ns
• 访问时间:100 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-TBGA
• 供应商器件封装:64-EasyBGA（10x13）
• RC28F256P30BFE，Micron（美光）产品一站式供应商。