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您正在寻找一颗能瞬间提升系统数据处理能力的内存核心吗？MT40A256M16LY-062E AIT:F TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的4Gb DDR4 SDRAM芯片，凭借其高达1.6GHz的时钟频率和仅为19ns的访问时间，能轻松应对高速数据读写挑战，让您的设备运行如飞，彻底释放计算潜力。

它采用先进的1.2V左右供电设计，在提供强劲性能的同时实现高效节能。其宽广的-40°C至95°C工作温度范围和可靠的96-TFBGA封装，确保您的产品即使在最严苛的环境中也能稳定运行。选择它，就是为您的网络设备、工业控制系统或高端嵌入式平台注入一颗强大、可靠且高效的心脏。

• 型号:MT40A256M16LY-062E AIT:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:19 ns
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• MT40A256M16LY-062E AIT:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。