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还在为嵌入式系统寻找一颗“扛得住”的高速内存芯吗？MT41J64M16JT-187E:G正是您期待的答案。这颗来自美光科技的1Gb DDR3 SDRAM芯片，能以高达533MHz的速度并行处理数据，让您的设备在处理多任务、流媒体或实时控制时响应如飞，彻底告别卡顿。

它采用1.5V供电，在提升能效的同时，确保在0°C至95°C的广泛温度范围内稳定工作，无论是严苛的工业现场还是复杂的网络设备，都能轻松应对。其96-TFBGA封装节省空间，易于集成，让您的设计更紧凑、更高效。选择它，就是为您的产品选择了一个久经考验、值得信赖的性能基石。

• 型号:MT41J64M16JT-187E:G
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
• MT41J64M16JT-187E:G，Micron（美光）产品一站式供应商。