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MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B 零件图片(仅供参考)

MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B
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MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B 规格参数

还在为设备的内存性能瓶颈而困扰吗?MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B将彻底改变这一局面。这颗来自美光科技的32Gb LPDDR4移动内存芯片,以高达1866MHz的疾速频率,为您的高端移动设备、平板电脑及嵌入式系统注入强大动力,让多任务处理、高清视频播放和复杂图形运算变得前所未有的流畅。

它不仅能提供海量的数据存储空间(512M x 64),更凭借1.1V的低电压设计和先进的工艺,在释放极致性能的同时,显著优化系统功耗,有效延长电池续航。其表面贴装的366-WFBGA紧凑封装,让您能在有限的空间内轻松实现高密度布局,是追求高性能与小体积完美平衡的理想选择。

  • 制造商产品型号:MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1866MHZ 366WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:366-WFBGA
  • MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B 基本参数:

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