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还在寻找一颗能扛住恶劣环境、稳定执行任务的存储核心吗？M29W800DB70N6T TR就是您的答案。这颗美光8Mb并行NOR闪存芯片，能以70ns的高速访问时间，让您的系统快速读取关键启动代码或运行数据，确保设备响应迅捷，运行流畅。

它专为严苛环境设计，支持-40°C到85°C的宽温工作范围，并拥有2.7V-3.6V的宽电压适应能力，让您的产品在电力波动或温度剧变下依然稳定可靠。无论是工业控制、网络通信还是汽车电子，它都能成为您系统中那个默默无闻却至关重要的坚实后盾。

选择它，就是为您的成熟产品选择了一份历经验证的存储保障，让您能够专注于系统创新，而无需为底层存储的稳定性担忧。

• 型号:M29W800DB70N6T TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:1M x 8，512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• M29W800DB70N6T TR，Micron（美光）产品一站式供应商。