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还在寻找一颗能扛得住极端环境、读写迅捷如飞的存储核心吗？NAND256W3A0BN6E就是您的答案。这颗美光256Mb并行NAND闪存芯片，能以50ns的高速完成数据访问与写入，让您的嵌入式系统响应无比敏捷。

它拥有2.7V-3.6V的宽电压适应能力和-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保您在开发工业控制、汽车电子或网络通信设备时，无需为供电波动或环境严酷而担忧。其32M x 8的存储结构，为您提供了高效灵活的数据存储方案。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠的‘数据心脏’。

• 制造商产品型号：NAND256W3A0BN6E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Mb（32M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：50ns
• 访问时间：50ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• NAND256W3A0BN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。