我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT41K1G4THV-15E:M现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为嵌入式系统寻找一颗性能与稳定兼备的内存核心吗？MT41K1G4THV-15E:M正是您的理想答案。这颗美光出品的4Gb DDR3 SDRAM，能以高达667MHz的速度高效处理数据，13.5ns的快速访问时间让系统响应无比迅捷，彻底告别卡顿与延迟。

它为您提供1G x 4的存储组织方式，并联接口确保数据吞吐流畅。其1.283V~1.45V的工作电压有助于降低整体功耗，而0°C至95°C的宽温范围则让它能轻松应对各种严苛环境，无论是工业控制还是网络通信设备，都能稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场验证的可靠保障。

• 型号:MT41K1G4THV-15E:M
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:1G x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:667 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.5 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x11.5）
• MT41K1G4THV-15E:M，Micron（美光）产品一站式供应商。