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您正在寻找一颗能扛住极端温度、确保数据万无一失的闪存芯片吗？MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR正是您的理想答案。这颗美光出品的2Gb并行NAND闪存，能在-40°C到85°C的宽广温度范围内稳定工作，专为工业、汽车及严苛环境应用而生，让您的设备无惧冷热挑战，可靠运行。

它采用1.7V~1.95V低电压供电和表面贴装设计，不仅节能高效，还能帮助您轻松实现紧凑的PCB布局。256M x 8的存储结构，为您提供了清晰高效的数据管理方式，无论是程序代码还是海量数据，都能实现快速、稳定的存储与访问，极大提升系统整体性能。

• 型号:MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。