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M29W400DB70N6 零件图片(仅供参考)

M29W400DB70N6
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M29W400DB70N6 规格参数

还在为嵌入式系统寻找一颗反应迅捷、坚若磐石的“记忆核心”吗?M29W400DB70N6正是您期待的解决方案。这颗美光4Mb并行NOR闪存,能以高达70ns的极速访问时间,让您的处理器瞬间读取指令与数据,显著提升系统响应效率,告别等待。

它能在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定工作,并适应-40°C到85°C的严苛温度环境,无论是户外工业设备还是车内电子单元,都能确保数据存储的绝对可靠。其灵活的存储结构(512K x 8或256K x 16)和并联接口,让您的硬件设计更轻松,集成更高效。选择它,就是为您的产品选择了一份经过全球验证的持久耐力与性能保障。

  • 型号:M29W400DB70N6
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:48-TSOP I
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP I
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:4Mb
  • 存储器组织:512K x 8,256K x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:70ns
  • 访问时间:70 ns
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:48-TSOP I
  • M29W400DB70N6,Micron(美光)产品一站式供应商。
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M29W400DB70N6 基本参数:

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