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您正在寻找一颗能确保系统流畅运行、兼顾性能与功耗的内存核心吗？MT42L32M16D1AB-3 WT:A TR正是为您而来。这颗美光LPDDR2移动SDRAM，拥有512Mb容量和333MHz时钟频率，能轻松应对多任务处理与数据缓冲，让您的嵌入式设备响应更迅捷。

它采用先进的低功耗设计，工作电压范围宽至1.14V~1.95V，显著优化系统能效，延长电池续航。其121-WFBGA小型化封装和表面贴装设计，让您能更高效地利用宝贵的PCB空间，实现更紧凑的产品设计。无论是面对-30°C的严寒还是85°C的高温，它都能稳定工作，为您产品的环境适应性提供坚实保障。

• 型号:MT42L32M16D1AB-3 WT:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:121-FBGA（6.5x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 121FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:121-WFBGA
• 供应商器件封装:121-FBGA（6.5x8）
• MT42L32M16D1AB-3 WT:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。