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还在为嵌入式系统的数据吞吐能力发愁吗？让MT46V32M16FN-5B:F TR为您带来改变！这颗美光出品的512Mb DDR SDRAM芯片，就像为您设备配备了一个高速数据中转站。其并行接口和200MHz时钟频率，能让您的应用轻松应对海量数据的实时读写需求，大幅提升系统响应速度。

它采用高效的2.5V~2.7V供电，在提供强劲动力的同时兼顾能效。紧凑的60-TFBGA封装帮助您优化电路板空间。无论是工业控制、网络通信还是需要可靠存储的各类设备，这颗芯片都能让您的设计运行更流畅、更高效，彻底释放硬件潜能。

• 型号:MT46V32M16FN-5B:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V32M16FN-5B:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。