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还在为经典项目寻找一颗性能稳定、供应可靠的存储芯片吗？NAND512R3A2SN6E正是为您而来。这颗美光科技的512Mb NAND闪存，采用成熟的并联架构和1.8V低功耗设计，能以高达50ns的速度高效处理数据，让您的嵌入式系统运行更流畅。

它专为追求长期稳定与成本效益的应用打造。宽温工作范围（-40°C至85°C）和工业级可靠性，让您的设备无惧恶劣环境挑战。无论是用于系统引导、参数存储还是数据日志记录，它都能成为您产品中默默奉献、坚实可靠的“记忆核心”。选择它，就是为您的成熟产品选择一份经久不衰的保障。

• 型号:NAND512R3A2SN6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• NAND512R3A2SN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。