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您正在寻找一颗能作为系统“坚实记忆核心”的闪存芯片吗？MT28FW01GABA1LPC-0AAT TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的1Gb并行NOR闪存，能为您稳定、高速地存储和运行关键程序代码与数据，无论是汽车电子的复杂算法，还是工业控制的核心指令，它都能可靠承载。

它具备105ns的快速读取能力与60ns的高效写入速度，让您的系统响应更加迅捷。其1.7V-3.6V的宽电压支持和-40°C至105°C的宽广工作温度范围，让您能轻松应对各种严苛的供电与环境挑战，显著提升终端产品的适应性与可靠性。选择它，就是为您的设计选择了一份经过AEC-Q100认证的耐用保障。

• 型号:MT28FW01GABA1LPC-0AAT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-LBGA（11x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64LBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:60ns
• 访问时间:105 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-LBGA
• 供应商器件封装:64-LBGA（11x13）
• MT28FW01GABA1LPC-0AAT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。