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还在为设备的内存性能瓶颈而烦恼吗？MT42L64M32D2HE-18 IT:D TR就是您期待的答案。这颗美光出品的2Gb移动LPDDR2 DRAM，以533MHz的高频和并行接口，为您构建起一条高速数据通道，让您的应用处理海量信息时如行云流水，轻松应对多任务与实时计算的严苛要求。

它专为 demanding 环境打造，1.14V~1.3V的超低工作电压显著提升能效，而-40°C至85°C的宽温范围与车规级（AEC-Q100）可靠性认证，则确保它在车载电子、工业控制等关键场景中稳定如山。无论是加速图形渲染还是保障数据流畅通无阻，它都能让您的设计更高效、更可靠。

• 型号:MT42L64M32D2HE-18 IT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-VFBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:64M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-VFBGA
• 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5）
• MT42L64M32D2HE-18 IT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。