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MT53D768M64D8SQ-053 WT:E TR 零件图片(仅供参考)

MT53D768M64D8SQ-053 WT:E TR
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MT53D768M64D8SQ-053 WT:E TR 规格参数

还在寻找能同时引爆性能与能效的存储解决方案吗?MT53D768M64D8SQ-053 WT:E TR就是您的答案。这颗美光出品的48Gb LPDDR4移动DRAM,以高达1866MHz的速度和1.1V低电压运行,专为您的尖端设备注入澎湃动力。它能轻松应对4K视频处理、实时AI推理及大型游戏渲染,让复杂任务变得流畅无比。

它采用紧凑的556-VFBGA封装,节省宝贵空间,并能在-30°C至85°C的宽温范围内稳定工作,可靠性卓越。选择它,就是为您的产品选择了经市场验证的高带宽、低延迟内存核心,让您轻松构建出更快速、更节能、更具竞争力的智能终端,赢得用户青睐。

  • 制造商产品型号:MT53D768M64D8SQ-053 WT:E TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 48GBIT 1866MHZ 556VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:不用於新
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:48Gb(768M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:556-VFBGA
  • MT53D768M64D8SQ-053 WT:E TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT53D768M64D8SQ-053 WT:E TR 基本参数:

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