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您是否在寻找一颗能扛得住极端环境、确保核心代码万无一失的存储芯片？M29W256GH70N6F TR正是为您而来。这颗美光科技的256Mb并行NOR闪存，能以70ns的极速访问时间，让您的处理器高效读取指令与数据，显著提升系统响应性能。

它为您提供坚实的非易失存储空间（32M x 8），无论是存储启动代码、操作系统还是关键参数都游刃有余。其2.7V-3.6V的宽电压支持和-40°C至85°C的广阔工作温度范围，让您的设备能在工业、汽车等各种严苛场景中稳定运行，彻底告别数据丢失的烦恼。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的可靠性保障。

• 型号:M29W256GH70N6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8，16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:56-TSOP
• M29W256GH70N6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。