我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT40A256M16GE-083E:B现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能瞬间提升您设备响应速度的内存解决方案吗？MT40A256M16GE-083E:B正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的4Gb DDR4 SDRAM芯片，以其1.2GHz的高时钟频率和并联接口，为您的高速应用注入强劲动力，让数据处理如行云流水般高效。

它采用先进的低电压设计（1.14V~1.26V），在显著降低系统功耗的同时，确保了在0°C至95°C宽温范围内的卓越稳定性。无论是面对工业控制、网络通信还是高性能嵌入式计算的严苛要求，它都能轻松胜任，让您的产品设计更可靠、更具竞争力。

• 型号:MT40A256M16GE-083E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（9x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
• MT40A256M16GE-083E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。