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还在为设备的数据处理瓶颈而烦恼吗？让MT41K1G8RKB-107:N TR为您注入澎湃动力！这颗美光出品的8Gb DDR3L SDRAM芯片，能以高达933MHz的速度流畅处理海量数据，其低至1.283V的供电电压更能为您显著节省系统能耗，让高性能与高能效完美兼得。

它采用紧凑的78-TFBGA封装，轻松融入您的空间受限设计。无论是工业控制设备的实时运算，还是网络通信的数据高速缓存，它都能凭借20ns的快速访问和宽温域稳定性，确保您的系统在各种环境下都响应迅捷、运行可靠。选择它，就是为您的产品选择了一个经久耐用的高性能内存基石。

• 型号:MT41K1G8RKB-107:N TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
• MT41K1G8RKB-107:N TR，Micron（美光）产品一站式供应商。