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它采用成熟的并联接口和宽电压设计，兼容性强，集成轻松，能显著缩短您的开发周期。更值得一提的是，其工业级的工作温度范围（0°C ~ 70°C）赋予了产品出色的环境适应性，确保在多种应用场景下稳定运行。选择它，就是选择了一份经过市场千锤百炼的可靠性，让您能够更加专注于产品创新与功能实现，而无须在后端存储性能上耗费心神。

• 型号:MT29F3T08EUHBBM4-3R:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:-
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 3TBIT PARALLEL 333MHZ
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:3Tb
• 存储器组织:384G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
• MT29F3T08EUHBBM4-3R:B，Micron（美光）产品一站式供应商。