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它采用先进的1.1V低电压供电，显著优化系统能效，帮助您延长终端设备的电池续航。同时，其宽广的-40°C ~ 125°C工作温度范围，确保了在严苛环境下的稳定运行，无论是炎夏还是寒冬，都能让您的产品表现始终如一。选择它，就是为您的设计注入高效与可靠的基因。

• 型号:MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。