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还在为嵌入式系统的数据吞吐速度而焦虑吗？让MT46V64M8BN-6 L:F TR为您带来改变！这颗美光科技的512Mb DDR SDRAM芯片，就像您系统中的一个高速数据枢纽，能以高达167MHz的时钟频率和极低的访问延迟，轻松处理海量数据流，彻底释放您主处理器的性能潜力。

它专为要求高效能、高可靠性的应用而设计。其2.3V~2.7V的低电压运行让您的产品更节能，而0°C至70°C的宽温适应能力则确保了在各种环境下的稳定表现。无论是进行复杂运算、图形缓冲还是实时通信，它都能提供持续、稳定的并行数据支持，让您的设备运行如行云流水般顺畅高效。

• 型号:MT46V64M8BN-6 L:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8BN-6 L:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。