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还在为您的工业级设备寻找一颗既能扛住极端环境，又能流畅处理数据的存储核心吗？MT47H256M8EB-25E IT:C TR正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技打造的2Gb DDR2 SDRAM，能以高达400MHz的速度高效吞吐数据，让您的控制系统或通信设备响应更迅捷，运行更流畅。

它不仅仅追求速度，更注重在恶劣条件下的坚不可摧。其宽达-40°C至95°C的工作温度范围，让您无需担心严寒酷暑对设备稳定性的影响。1.8V左右的低电压供电，在保证性能的同时，帮助您有效优化系统功耗。无论是自动化产线、网络基础设施还是需要长期稳定运行的嵌入式系统，它都能成为您最可靠的数据仓库，让您的产品设计无后顾之忧。

• 型号:MT47H256M8EB-25E IT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
• MT47H256M8EB-25E IT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。