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还在为移动设备的内存性能瓶颈而烦恼吗？EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR这颗1Gb移动LPDDR2 DRAM芯片，就是为您突破限制而生的利器。它以高达533MHz的运行速度，让您的应用程序加载更快、多任务切换更流畅，彻底提升终端用户的响应体验。

更重要的是，它懂得如何“聪明”地工作。宽电压支持与低功耗技术相结合，在提供强劲数据吞吐能力的同时，显著优化系统能耗，直接助力延长您设备的电池续航时间。其坚固的设计支持极端温度环境，并采用易于集成的紧凑封装，让您能更轻松地打造出高性能、高可靠性的下一代智能产品。

• 制造商产品型号：EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量：1Gb（64M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：533MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.14V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 125°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：134-VFBGA
• EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR，Micron（美光）产品一站式供应商。