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还在寻找一颗能扛起数据存储重任的“老将”吗？MT29F2G08ABAFAH4-S:F就是您值得信赖的伙伴。这颗美光出品的2Gb并行NAND闪存，拥有256M x 8的经典结构，能为您现有的成熟设计提供稳定、非易失的存储核心，轻松应对程序代码、系统参数或用户数据的存储需求。

其2.7V~3.6V的宽电压供电和0°C~70°C的工作温度范围，赋予了它出色的环境适应性和系统兼容性。无论是工业控制、网络设备还是其他嵌入式应用，它都能高效融入，确保数据持久可靠。通过选择这颗经过市场长期验证的芯片，您不仅获得了性能保障，更赢得了宝贵的开发时间与系统稳定性。

• 型号:MT29F2G08ABAFAH4-S:F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABAFAH4-S:F，Micron（美光）产品一站式供应商。