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更重要的是，它在1.1V的低电压下高效运行，能显著降低设备整体功耗，直接为您产品的电池续航能力加分。其表面贴装的200-WFBGA紧凑封装，为您节省宝贵的PCB空间，让设备设计更轻薄。选择它，就是选择了一个能轻松应对高强度多任务、同时保持冷静高效的可靠伙伴，助您的产品在激烈市场中脱颖而出。

• 型号:MT53B256M32D1NP-062 WT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53B256M32D1NP-062 WT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。