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还在寻找一颗能扛得住恶劣环境、让您的设计省心又省钱的存储芯片吗？NAND256W3A2BE06就是为您准备的解决方案。这颗256Mb（32M x 8）的并行NAND闪存，拥有50ns的高速访问能力，能让您的系统快速读写数据，运行更流畅；其宽广的2.7V~3.6V工作电压和-40°C~85°C的工业级温度范围，则确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，极大提升了产品的可靠性和适应性。

无论是工业控制、网络通信，还是需要持久数据存储的各类嵌入式应用，它都能轻松胜任。选择它，意味着您选择了一个经过市场长期验证、成熟可靠的存储核心，让您能够更专注于产品核心功能的开发，而无须在基础存储稳定性上多费心思。

• 制造商产品型号：NAND256W3A2BE06
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256MBIT PARALLEL WAFER
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Mb（32M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：50ns
• 访问时间：50ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：-
• NAND256W3A2BE06，Micron（美光）产品一站式供应商。