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还在为系统数据吞吐效率而烦恼吗？让MT47H16M16BG-3E:B为您注入强劲动力！这颗美光DDR2 SDRAM芯片，拥有256Mb（16M x 16）的存储容量和333MHz的时钟频率，能轻松应对并行数据的快速读写需求，显著提升您的设备响应速度和处理能力。

它采用1.8V左右低电压供电，功耗控制出色，配合84-FBGA紧凑封装，非常适合对空间和能效有要求的嵌入式设计与工业应用。其优异的性能让您能够轻松构建更流畅、更可靠的数据处理平台，无论是用于缓冲、缓存还是主存扩展，都能高效完成任务，是您优化系统内存子系统的得力之选。

• 型号:MT47H16M16BG-3E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-FBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x14）
• MT47H16M16BG-3E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。