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EDFA364A3MA-GD-F-R TR 零件图片(仅供参考)

EDFA364A3MA-GD-F-R TR
Micron 订单到达,马上发货

EDFA364A3MA-GD-F-R TR 规格参数

还在为系统运行卡顿、数据吞吐不足而烦恼吗?EDFA364A3MA-GD-F-R TR这颗16Gb并行DRAM芯片,就是您提升产品竞争力的秘密武器。它基于美光先进的LPDDR3移动技术,以高达800MHz的时钟频率,为您带来疾速的数据读写体验,让您的应用程序运行如飞,彻底告别延迟。

这颗芯片能为您做什么?它让您轻松驾驭大容量数据缓存任务,无论是复杂的图形处理、高清视频流还是实时多任务运算,都能提供稳定高效的支持。其宽电压和宽温设计,更能让您的产品适应从消费电子到工业控制的多样化环境,确保在各种条件下都表现出色。选择它,就是选择了一条通往高效、可靠产品设计的捷径。

  • 制造商产品型号:EDFA364A3MA-GD-F-R TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 16GBIT PARALLEL 800MHZ
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 存储容量:16Gb(256M x 64)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:800MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • EDFA364A3MA-GD-F-R TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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EDFA364A3MA-GD-F-R TR 基本参数:

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