根据美光之前公布的路线图，实际上 1Znm 之后还会有 1αnm、1βnm、1γnm，这样一来 10nm 级别就有六种制造工艺了，现在正好演进到到了第三代。...

作为业内容量最高的单片移动存储器，美光的 LPDDR4x DRAM 提供了行业领先的带宽和能效，并能为手机带来更高的 DRAM 容量。...

位于圣何塞的Skyera使用Micron的20纳米、128Gb多级单元（MLC）NAND闪存存储介质，使单个紧凑的企业级存储系统达到惊人的44TB容量，该系统可用于海量数据、云计算和虚拟应用。...

Micron 128 Gb 多层单元（MLC）NAND 闪存设备专门为消费类固态硬盘、移动存储（U 盘和闪存卡）、平板电脑、超薄设备、移动手机和数据中心云存储而产生。...

报道称，美光解散DRAM设计团队很有可能是出于防止技术外泄的考虑，并将产品的设计和研发收拢至大陆以外的地区。加上美光十分重视知识产权保护，因此有可能超前部署。...

在普通、混合、随机工作负载下，7450 SSD 通过 2 毫秒或更低的延迟，实现高达 99.9999% 的QoS 1，从而提升多种数据库的性能...

美光 2021 年 A5 厂建设计划主要彰显了美光对 DRAM 未来发展的乐观看法，也提高了美光在台湾地区 DRAM 生产基地的重要战略地位。...

美光 176 层三层单元 (TLC) 3D NAND 已在美光新加坡晶圆制造工厂量产并向客户交付，包括通过其英睿达 (Crucial) 消费级 SSD 产品线。美光将在 2021 日历年推出基于该技术的更多新产品。...

Micron美光半导体 RLDRAM内存特点： 高性能 超低的总线周转时间支持更高的可持续带宽 数据包缓冲和检查的理想选择 扩展的运行温度范围

Micron美光半导体 移动LPDRAM特点： 低待机电流和低自刷新可以延长电池使用时间,温度补偿自刷新（TCSR）和部分阵列自刷新（PASR）模式

Micron美光半导体的DRAM针对各种应用均经过最严格的高可靠性测试－从工业以及汽车应用所需的极端温度和性能测试到企业系统的严格规范，我们有满足您设计需要的合适解决方案。

Micron美光半导体的高性能NAND产品业已运用到各个领域，从移动到嵌入式和企业存储应用，我们可以帮助您的设计找到最佳的解决方案。

Micron美光半导体开发新锐的内存技术已超过30年。我们长期的创新传统和技术上的领先帮助我们塑造广泛的NAND闪存产品。