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您正在寻找一颗能扛重任、稳定如磐石的DDR内存芯片吗？MT46V16M16P-6T IT:F TR正是您可靠的答案。这颗美光出品的256Mb并行DRAM，能以高达167MHz的速度高效处理数据，其仅700ps的访问时间和15ns的写周期，让您的系统响应快人一步，数据流转毫无迟滞。

它专为严苛环境而生，支持-40°C到85°C的宽温操作和2.3V~2.7V的宽电压供电，让您的工业控制、网络通信或嵌入式设备无论面对何种挑战，都能保持稳定运行。其表面贴装的66-TSSOP封装，更让您的PCB设计布局轻松高效，加速产品上市进程。

• 型号:MT46V16M16P-6T IT:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V16M16P-6T IT:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。