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还在为系统数据吞吐能力而烦恼吗？让MT41K1G4RH-125:E TR为您解决核心痛点！这颗来自美光科技的4Gb DDR3 SDRAM芯片，能以高达800MHz的时钟频率和并联接口，为您的高速设备提供流畅、迅猛的数据交换通道，显著提升整体运行效率。

它不仅仅提供大容量（1G x 4组织方式），更通过1.283V~1.45V的低电压运行和0°C~95°C的宽温工作范围，为您带来出色的能效表现与强大的环境适应性。无论是面对严苛的工业环境还是需要长时间稳定运行的网络设备，它都能轻松胜任，确保您系统的核心数据访问既快速又可靠。

• 型号:MT41K1G4RH-125:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:1G x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41K1G4RH-125:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。