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还在为您的嵌入式系统寻找一颗“大脑”般可靠的数据存储核心吗？M29F400BB55N6T TR就是您的高效解决方案。这颗美光科技的4Mb并行NOR闪存芯片，能以55ns的快速访问时间，让您的处理器瞬间读取指令或数据，显著提升系统运行效率。无论是512K x 8位还是256K x 16位的组织方式，都能灵活适配您的总线需求。

它专为严苛环境设计，支持-40°C至85°C的工业级宽温工作范围，并采用可靠的表面贴装封装，确保在振动、高低温等挑战下稳定存储您的关键代码与参数。选择它，就是为您的工业控制、通信设备或汽车电子应用注入一颗经久耐用的“记忆心脏”，让系统运行更稳定，让您的开发更省心。

• 型号:M29F400BB55N6T TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• M29F400BB55N6T TR，Micron（美光）产品一站式供应商。