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还在寻找一颗能兼顾大容量、高可靠性与易用性的核心存储芯片吗？MT29F2G08ABAEAWP:E TR正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的2Gb NAND闪存芯片，采用经典的并联接口，能为您提供稳定高效的256M x 8位存储空间，让您的设备轻松应对程序代码、用户数据和系统参数的存储需求。

它拥有2.7V~3.6V的宽电压适应能力和0°C~70°C的工作温度范围，确保您的产品在各种供电和环境条件下都能稳定运行。紧凑的48-TSOP表面贴装封装，让您能够更高效地利用PCB板空间，简化生产设计流程。选择它，就是为您的产品选择了一份经市场验证的存储可靠性，让开发更轻松，让性能更出众。

• 型号:MT29F2G08ABAEAWP:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F2G08ABAEAWP:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。