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您正在寻找一颗能扛起海量数据存储重任、运行稳定且易于集成的闪存芯片吗？MT29F64G08CBABAWP-M:B TR正是您的理想答案。这颗由美光科技出品的64Gb（8Gx8）并行NAND闪存，能为您提供高达64Gb的非易失性存储空间，让您的设备轻松容纳庞大的程序代码、用户数据或系统日志，无需再为存储容量而妥协。

它采用成熟的并联接口和标准的48-TSOP封装，让您的硬件设计集成变得异常高效。宽达2.7V~3.6V的供电范围，赋予了它出色的电源适应性，而0°C至70°C的工作温度范围，则确保了在多数商业和工业环境下的稳定运行。选择它，就是选择了一个经过市场验证的、可靠的存储解决方案，让您的产品核心数据固若金汤。

• 型号:MT29F64G08CBABAWP-M:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F64G08CBABAWP-M:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。