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您正在为下一代智能设备寻找一颗既强劲又省电的“记忆大脑”吗？MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR正是这样一款专为高性能移动和嵌入式应用而生的4Gb移动LPDDR SDRAM。它拥有128M x 32的宽阔数据位宽和高达166MHz的运行频率，能轻松应对海量数据的并行高速吞吐，让您的系统运行如飞。

这颗芯片的核心魅力在于其卓越的能效比。1.7V~1.95V的低工作电压显著降低了整体功耗，直接助力延长便携设备的电池续航。同时，其5ns的快速访问时间和稳定的宽温工作特性（-25°C ~ 85°C），确保您的产品在各种严苛环境下都能保持高效、可靠的运行状态，是提升终端产品竞争力的秘密武器。

• 型号:MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-WFBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-WFBGA
• 供应商器件封装:168-WFBGA（12x12）
• MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。