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还在为嵌入式系统寻找高速、省心的内存方案吗？MT45W2MW16BABB-706 L WT就是您的答案。这颗32Mb并行PSRAM芯片，巧妙融合了SRAM的接口简易性与DRAM的高密度优势，内部自带刷新电路，让您彻底告别繁琐的外部刷新设计，轻松实现高速数据存取。

它能为您做什么？凭借70ns的极速访问时间，它能瞬间响应处理器的数据请求，让您的图形显示更流畅，实时数据处理更高效。1.7V~1.95V的低电压工作范围，显著降低系统功耗，特别适合电池供电的便携设备。无论是工业HMI、医疗仪器还是车载系统，它都能提供稳定可靠的临时数据存储，助您打造性能卓越的终端产品。

• 型号:MT45W2MW16BABB-706 L WT
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（6x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:PSRAM
• 技术:PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量:32Mb
• 存储器组织:2M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（6x9）
• MT45W2MW16BABB-706 L WT，Micron（美光）产品一站式供应商。