美光 176 层三层单元 (TLC) 3D NAND 已在美光新加坡晶圆制造工厂量产并向客户交付，包括通过其英睿达 (Crucial) 消费级 SSD 产品线。美光将在 2021 日历年推出基于该技术的更多新产品。...

摩托罗拉 edge+ 搭载了业界领先的美光 12GB LPDDR5 DRAM 内存，为用户带来流畅、无延迟的体验。...

美光该芯片将带来更低的功耗和更快的数据读取速度，以满足消费者对于智能手机中人工智能(AI)和 5G 功能日益增长的需求。...

美光 LPDDR4X 基于 UFS 多芯片封装 (uMCP4)，满足了移动设备制造商对于低功耗以延长电池寿命，以及更小尺寸、纤薄设计、有吸引力的设备外形的需求。...

美光的新款 uMCP5 封装采用了公司在多芯片封装方面的创新和前沿技术，集成了低功耗 DRAM、NAND 和板载控制器，其与双芯片解决方案相比，占用空间减少 40%。...

根据美光之前公布的路线图，实际上 1Znm 之后还会有 1αnm、1βnm、1γnm，这样一来 10nm 级别就有六种制造工艺了，现在正好演进到到了第三代。...

作为业内容量最高的单片移动存储器，美光的 LPDDR4x DRAM 提供了行业领先的带宽和能效，并能为手机带来更高的 DRAM 容量。...

位于圣何塞的Skyera使用Micron的20纳米、128Gb多级单元（MLC）NAND闪存存储介质，使单个紧凑的企业级存储系统达到惊人的44TB容量，该系统可用于海量数据、云计算和虚拟应用。...

Micron美光半导体 RLDRAM内存特点： 高性能 超低的总线周转时间支持更高的可持续带宽 数据包缓冲和检查的理想选择 扩展的运行温度范围

Micron美光半导体 移动LPDRAM特点： 低待机电流和低自刷新可以延长电池使用时间,温度补偿自刷新（TCSR）和部分阵列自刷新（PASR）模式

Micron美光半导体的DRAM针对各种应用均经过最严格的高可靠性测试－从工业以及汽车应用所需的极端温度和性能测试到企业系统的严格规范，我们有满足您设计需要的合适解决方案。

Micron美光半导体的高性能NAND产品业已运用到各个领域，从移动到嵌入式和企业存储应用，我们可以帮助您的设计找到最佳的解决方案。

Micron美光半导体开发新锐的内存技术已超过30年。我们长期的创新传统和技术上的领先帮助我们塑造广泛的NAND闪存产品。