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TE28F128J3D75B 零件图片(仅供参考)

TE28F128J3D75B
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TE28F128J3D75B 规格参数

还在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与工业级可靠性的闪存芯片吗?TE28F128J3D75B就是您的理想答案。这颗基于美光StrataFlash技术的NOR Flash芯片,拥有128Mbit的充裕空间(可配置为16M x 8或8M x 16),让您轻松存储复杂的程序代码与海量数据。

它凭借75ns的快速访问速度,能显著减少系统等待时间,让您的设备响应更加迅捷流畅。其2.7V-3.6V的宽电压设计和-40°C至85°C的宽温工作能力,确保了在各类严苛环境下都能稳定运行,极大提升了您产品的环境适应性与可靠性。选择TE28F128J3D75B,就是为您的嵌入式系统选择了一个高效、耐用且值得信赖的数据核心。

  • Micron美光半导体完整型号:TE28F128J3D75B
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 56TSOP
  • 系列:StrataFlash
  • 格式 - 存储器:闪存
  • 存储器类型:FLASH - NOR
  • 存储容量:128M(16M x 8,8M x 16)
  • 速度:75ns
  • 接口:并联
  • 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:56-TSOP(14x20)
  • TE28F128J3D75B,Micron(美光)产品一站式供应商。
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TE28F128J3D75B 基本参数:

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