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还在为嵌入式系统的内存性能与功耗纠结吗？让EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR为您提供卓越的解决方案！这颗美光4Gb移动LPDDR2 DRAM，凭借533MHz的高速时钟和并行接口，能瞬间提升您的系统数据吞吐能力，无论是复杂的图形处理还是实时的数据流，都能轻松驾驭，确保操作流畅无延迟。

它更懂您的能效需求。1.14V~1.95V的宽电压范围和移动LPDDR2技术的低功耗特性，让您在获得强劲性能的同时，显著延长电池续航时间。其坚固的216-WFBGA封装和-40°C至85°C的宽工作温度范围，更能保障设备在各种严苛环境下稳定运行，是工业控制、便携医疗、车载电子等应用的理想内存伙伴。

• 型号:EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-WFBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 216WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:64M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-WFBGA（12x12）
• EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR，Micron（美光）产品一站式供应商。