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还在为系统数据带宽瓶颈而烦恼吗？MT49H32M18CSJ-25E:B TR就是您期待的解决方案。这颗美光出品的576Mb并行DRAM，能以高达400MHz的速度疾速响应，15ns的极速访问时间让数据调用毫无迟滞，彻底释放您主处理器的性能潜力。

它为您提供高达32M x 18位的宽数据通道，轻松应对大数据流的实时吞吐需求，无论是工业控制、网络通信还是音视频处理，都能确保系统运行流畅高效。1.7V~1.9V的低压工作与宽温特性，更让您的设备在节能与可靠方面表现卓越。

• 型号:MT49H32M18CSJ-25E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H32M18CSJ-25E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。